Automotive MOSFETs – Auf die Verpackung kommt es an
MOSFET DTMOS VI im TOLL-Gehäuse - Toshiba | DigiKey
Infineon stellt 650-V-SiC-MOSFETs im D²PAK-Gehäuse vor
International Rectifier – Strahlungsfeste Power MOSFET Thru-Hole (Niedrig-Ohm Variante im TO-257AA Gehäuse), 60V, 30A, P-Channel, R 9 Superjunction Technologie (04/2022)