ZF schließt mit STMicroelectronics Vertrag über Lieferung von SiC-Halbleitern
Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba: Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur
Siliziumkarbid (SiC) - EWA - TU Dortmund
In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten
In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten
Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering
MSC080SMA330B4: SiC-MOSFET N-Kanal, 3300 V, 41 A, Rds(on) 0,08 Ohm, TO-247-4L bei reichelt elektronik
650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
Forschungserfolg von Toshiba: SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
SiC-MOSFET - Produkte - Littelfuse
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - Henan überlegene Schleifmittel
Siliziumkarbid-MOSFETs - Micro Commercial Co | DigiKey
Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction
900-V-EliteSiC (Siliziumkarbid)-MOSFETs - onsemi | Mouser
In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten
SiC: Leistungsvergleich zwischen IGBT und SiC Gen4
Siliziumkarbid-Leistungsmodule | Semikron Danfoss
G3R™ 750-V-SiC-MOSFETs bieten beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit
650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - STMicro | Mouser
MD200HFR120C2S Starpower, Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke | Farnell DE
Die neue Generation kann mehr - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm: Tiefe Einblicke in die Gen 4 - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
