Home

Muschel Automat Rasierer siliziumkarbid transistor Bruch Gerechtigkeit Essen

onsemi NTH NTHL040N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 60 A,  4-Pin TO-247-4
onsemi NTH NTHL040N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 60 A, 4-Pin TO-247-4

Mehr E-Auto-Reichweite: Antriebsstrang mit SiC-Halbleitern verbessert
Mehr E-Auto-Reichweite: Antriebsstrang mit SiC-Halbleitern verbessert

G3R20MT17K Genesic Semiconductor, Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal |  Farnell DE
G3R20MT17K Genesic Semiconductor, Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal | Farnell DE

Präziser Blick ins Innerste von Transistoren hilft Energie sparen | FAU  Erlangen-Nürnberg
Präziser Blick ins Innerste von Transistoren hilft Energie sparen | FAU Erlangen-Nürnberg

Automobilstandard-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser
Automobilstandard-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser

M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - onsemi | Mouser
M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - onsemi | Mouser

NVHL075N065SC1 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte | DigiKey
NVHL075N065SC1 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte | DigiKey

1 Stück g3r75mt12k Siliziumkarbid-Mosfet 41 a1200v bis-247-4 - AliExpress
1 Stück g3r75mt12k Siliziumkarbid-Mosfet 41 a1200v bis-247-4 - AliExpress

UF3C065040K4S Unitedsic, Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal | Farnell DE
UF3C065040K4S Unitedsic, Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal | Farnell DE

Siliciumcarbid – Wikipedia
Siliciumcarbid – Wikipedia

LSIC1MO170E0750 Littelfuse, Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal | Farnell  DE
LSIC1MO170E0750 Littelfuse, Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal | Farnell DE

650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation | DigiKey
650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation | DigiKey

Neu erschienen: Verena Grifone Fuchs – Siliziumkarbid-Transistoren für  Audioverstärker der Klasse-D – BibBlog – Weblog der Universität Siegen
Neu erschienen: Verena Grifone Fuchs – Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D – BibBlog – Weblog der Universität Siegen

onsemi NVH NVH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A,  4-Pin TO-247-4
onsemi NVH NVH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4

onsemi NTH NTH4L040N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 58 A,  4-Pin TO-247-4 | RS
onsemi NTH NTH4L040N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 58 A, 4-Pin TO-247-4 | RS

C3M0032120K Wolfspeed, Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins | Farnell DE
C3M0032120K Wolfspeed, Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins | Farnell DE

MOSFET-Transistor - SCT4013DR - ROHM Semiconductor - Leistung / Schalt /  Silizium
MOSFET-Transistor - SCT4013DR - ROHM Semiconductor - Leistung / Schalt / Silizium

MOSFET, N-CH, 1.2KV, 72A, TO-247N, Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs Transistoren,  1 Stück, SCT3030KLGC11 : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 72A, TO-247N, Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs Transistoren, 1 Stück, SCT3030KLGC11 : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft

Multiscene Siliziumkarbid-Leistung Mosfet 650V für Solarumrichter
Multiscene Siliziumkarbid-Leistung Mosfet 650V für Solarumrichter

1 Stück g3r75mt12k Siliziumkarbid-Mosfet 41 a1200v bis-247-4 - AliExpress
1 Stück g3r75mt12k Siliziumkarbid-Mosfet 41 a1200v bis-247-4 - AliExpress

1700-V-SiC-MOSFETs und -Dioden – Wolfspeed | DigiKey
1700-V-SiC-MOSFETs und -Dioden – Wolfspeed | DigiKey

Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter -  Elektroniknet
Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter - Elektroniknet

So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren
So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren

650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba |  Mouser
650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser

1200-V-EliteSiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) - onsemi | Mouser
1200-V-EliteSiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) - onsemi | Mouser

650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - STMicro | Mouser
650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - STMicro | Mouser